Sistema di prova e metodologia di test
Per i test abbiamo utilizzato la seguente configurazione:
La scelta di una piattaforma AMD per i nostri test è volta a voler indagare sul comportamento delle memorie su tale sistema, avente una diffusione piuttosto ampia ma molto spesso abbandonato in favore delle piattaforme Intel in questo tipo di recensioni. Come già detto, inoltre, queste memorie non sono adatte alle nuove piattaforme Intel Sandy Bridge. Abbiamo eseguito i test impostando il valore “CPU frequency” della nostra CPU alla frequenza di default 200 MHz), quindi abbiamo proceduto eseguendo i nostri test, modificando la frequenza della memoria RAM tramite i divisori supportati dal nostro sistema. La CPU quindi durante le nostre prove è rimasta alla frequenza di default. Ecco i settaggi che abbiamo utilizzato :
- Frequenza: 1333 Mhz; timings: 9-9-9-28; Vdimm: 1,5V;
- Frequenza: 1600 Mhz; timing: 8-8-8-24 ; Vdimm; 1,65V.
Quelli sopra riportati sono i valori suggeriti dall'azienda stessa per il corretto funzionamento di queste memorie, cioè le loro impostazioni di default, delle quali abbiamo testato la stabilità, come si vede nelle immagini, utilizzando prime 95 in modalità blend.
Come sempre vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:
- CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
- Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
- Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
- RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.